B.Sc./M.Sc. Elektrotechnik an der RWTH

".../lehre/..." macht den Unterschied.

http://www.ihf.rwth-aachen.de/fileadmin ... _Noten.pdf

Schönes Wochenende!

Im Kleinsignal-ESB wird doch Ubias=0 und die stromquelle fällt weg. Im KS-ESB ist die Ausgangsstufe ne ganz normale Sourceschaltung mit A = -gm12*RL würde ich sagen.

Ah, ok, d.h. hier ist Cgd=0, thx.

Auf die Gate-Kapazität kommt man ja über Cg=epsilon0*epsilon r,si / tox * W * L . Da in der Aufgabenstellung epsilon r,si und tox gegeben sind, nehme ich an, dass man sowas in der Art machen soll, bin aber nicht sicher, ob man das dann einfach als Gate-Drain-Kapazität nehmen kann.

Weiß jemand, wie man auf den Wert der Gate-Drain-Kapazität kommt um die zweite Polstelle zu berechnen? Die ist doch ungleich Cox, oder?

Hi,
soweit ich weiß läuft es folgendermaßen:

1. Aufgabe: Fragenteil (40 Punkte)

2. + 3. Aufgabe: Rechenteil (jeweils 30 Punkte)

Es gibt also insgesamt 100 Punkte zu erreichen, wobei man mit 80 Punkten ne 1,0 und mit 40 Punkten ne 4,0 bekommt.

Viel Erfolg noch bei der Vorbereitung!

Hi mgeis, thx für die schnelle Antwort und noch viel Erfolg für die Klausur!

Hat mitlerweile jemand rausbekommen, woher das c in der Formel für V(x,y) kommt?

Ergebnisse sind da !!!

http://www.ind.rwth-aachen.de/de/lehre/ ... /pruefung/

Hey,

hat denn keiner die Rechenübng vom 17.01. in digitaler Form ??