MA/DA: Optimierung und Design resistiver Speicherzellen
Verfasst: Fr 30. Sep 2011, 16:20
Liebe Studierende,
Resistive Speicher (ReRAMs) bilden eine Gruppe von Speichern, die als potentieller Ersatz für
den DRAM im Hauptspeicher oder für Flash-Speicher in mobilen Anwendungen gelten. Das
Speicherkonzept von ReRAMs ist auf eine Widerstandsänderung des aktiven Materials zurückzuführen,
welche durch externe Ströme oder Spannungen hervorgerufen wird. Ein Typ von ReRAMs basiert auf der Bewegung von Sauerstoffionen im Material (VCM-Zellen). Die
Geschwindigkeit des Schaltprozesses in diesen Zellen wird durch eine Temperaturerhöhung
stark beschleunigt.
Auf diesem Themengebiet bietet das IWE 2 eine neue Abschlussarbeit an (siehe auch http://www.iwe.rwth-aachen.de/diplomarb ... 7_dipl.pdf).
Optimierung und Design resistiver Speicherzellen
In dieser Arbeit soll das Design von VCM-Zellen so optimiert werden, dass diese möglichst
schnell schalten. Diese Optimierung erfolgt durch Simulation der Temperaturverteilung in der
Speicherzelle und Anpassung der Geometrie und/ oder der eingesetzten Materialien. Die Simulationen
sollen anschließend mit vorhandenen experimentellen Daten abgeglichen werden.
Weiterhin soll in dieser Arbeit ein dynamisches Modell entwickelt werden, das das Verhalten der
Zellen beschreibt und zu deren Optimierung genutzt werden kann.
Diese Arbeit richtet sich vor allem an Studierende, die Interesse an der Modellierung physikalischer
Vorgänge haben. Zur mathematischen Modellierung werden Matlab und das kommerzielle
Simulationstool COMSOL genutzt.
Bei Interesse einfach einen Termin ausmachen, bei dem alle weiteren Details erläutert werden können.
Die Ansprechpartner für diese Arbeit sind
Stephan Menzel
menzel@iwe.rwth-aachen.de
und
Astrid Marchewka
marchewka@iwe.rwth-aachen.de
Resistive Speicher (ReRAMs) bilden eine Gruppe von Speichern, die als potentieller Ersatz für
den DRAM im Hauptspeicher oder für Flash-Speicher in mobilen Anwendungen gelten. Das
Speicherkonzept von ReRAMs ist auf eine Widerstandsänderung des aktiven Materials zurückzuführen,
welche durch externe Ströme oder Spannungen hervorgerufen wird. Ein Typ von ReRAMs basiert auf der Bewegung von Sauerstoffionen im Material (VCM-Zellen). Die
Geschwindigkeit des Schaltprozesses in diesen Zellen wird durch eine Temperaturerhöhung
stark beschleunigt.
Auf diesem Themengebiet bietet das IWE 2 eine neue Abschlussarbeit an (siehe auch http://www.iwe.rwth-aachen.de/diplomarb ... 7_dipl.pdf).
Optimierung und Design resistiver Speicherzellen
In dieser Arbeit soll das Design von VCM-Zellen so optimiert werden, dass diese möglichst
schnell schalten. Diese Optimierung erfolgt durch Simulation der Temperaturverteilung in der
Speicherzelle und Anpassung der Geometrie und/ oder der eingesetzten Materialien. Die Simulationen
sollen anschließend mit vorhandenen experimentellen Daten abgeglichen werden.
Weiterhin soll in dieser Arbeit ein dynamisches Modell entwickelt werden, das das Verhalten der
Zellen beschreibt und zu deren Optimierung genutzt werden kann.
Diese Arbeit richtet sich vor allem an Studierende, die Interesse an der Modellierung physikalischer
Vorgänge haben. Zur mathematischen Modellierung werden Matlab und das kommerzielle
Simulationstool COMSOL genutzt.
Bei Interesse einfach einen Termin ausmachen, bei dem alle weiteren Details erläutert werden können.
Die Ansprechpartner für diese Arbeit sind
Stephan Menzel
menzel@iwe.rwth-aachen.de
und
Astrid Marchewka
marchewka@iwe.rwth-aachen.de