[BA] Simulative Untersuchung von Si-GCTs mit antiparallelen SiC-Dioden
Verfasst: Mi 27. Sep 2017, 13:46
Hallo,
ich möchte auf folgende Ausschreibung für eine Bachelorarbeit aufmerksam machen:
https://www2.isea.rwth-aachen.de/datain ... 18ec28.pdf
Es geht um die simulative Untersuchung von leistungselektronischen Silizium-Bauelementen (GCT) in Verbindung mit Siliziumcarbid-Bauelementen(Dioden). Hierbei liegt der Fokus auf FEM-Simulationen und man kommt in Kontakt mit neuartigen Konzepten für die Bauelemente der höheren Leistungsklassen.
Bei Interesse oder weiteren Fragen könnt ihr Euch gerne jederzeit an mich wenden.
Jakob Teichrib
Wissenschaftlicher Mitarbeiter am PGS Institut
JTeichrib@eonerc.rwth-aachen.de
Viele Grüße
Jakob
ich möchte auf folgende Ausschreibung für eine Bachelorarbeit aufmerksam machen:
https://www2.isea.rwth-aachen.de/datain ... 18ec28.pdf
Es geht um die simulative Untersuchung von leistungselektronischen Silizium-Bauelementen (GCT) in Verbindung mit Siliziumcarbid-Bauelementen(Dioden). Hierbei liegt der Fokus auf FEM-Simulationen und man kommt in Kontakt mit neuartigen Konzepten für die Bauelemente der höheren Leistungsklassen.
Bei Interesse oder weiteren Fragen könnt ihr Euch gerne jederzeit an mich wenden.
Jakob Teichrib
Wissenschaftlicher Mitarbeiter am PGS Institut
JTeichrib@eonerc.rwth-aachen.de
Viele Grüße
Jakob