probeklausur Aufgabe 3
Verfasst: Mi 4. Jul 2012, 15:05
Hallo leute ,
ich hab heute versucht die dritte aufgabe von der probeklausur zu rechnen . Dabei hatte ich grosse Schwierigkeiten .
Ich versuch mal meinen Lösungsweg vorzustellen . Vielleicht kann mir jemand sagen was ich falsch mache .
Bei der vervollständigung der Schaltung habe ich einfach nur die linie( ohne etwas hinzufügen) durchgezogen . Mein Arbeitspunkt wird ja durch die beiden widerständen geregelt .
Der Eingang ist am Source und Ausgang am Drain , weil wir eine positive verstärkung haben und damit handelt es sich um eine gateschaltung .
Dimensionierung :
Der widerstand Rs ist wenn ich unseren Skript glauben darf der Widerstand einer Sromquelle und demnach muss es sehr hochohmig sein und hat so gut wie keinen Einfluss auf unsere Eingangswiderstand , weil es paralle zu unserem Transistor geschaltet wird. Deshalb ist Rin= 1/gm ( unter vernachlässigung des Substrateffektes und kanallängemodulation )
gm= 0,02
Und mit dem Formel gm*Rd =Au können wir Rd bestimmen Rd=500 ohm
Mit der Sättigungsbedingung Ug-Uth< Ua kriegen wir heraus , dass Ug maximal 0,25 sein darf. Also nehmen wir Ug= 0,2 V ( -0,25<Ua<0,25
Jetzt ist unsere Stom fast frei wählbar . muss aber natürlich mit unserem Aussteurbereich übereinstimmen . Daher wähle ich mein Ua willkürlich zu 0,2 Volt.
Jetzt muss über Drain natürlich ein Strom fliessen , dass mir auch diese Ausgangsspannung liefert . (Vdd-Uaus)/Rd = Id somit Id= 3,4mA
Bleibt nun Rs
mit dem Formel 2 *Id /(Ugs-Uth ) = gm mit UGS = UG - Us = UG - Rs * Is können wir Rs bestimmen und das ist in diesem Fall fast 200 ohm . Und das ist zu niederohmig . Was hab ich denn falsch gemacht ??????
ich hab heute versucht die dritte aufgabe von der probeklausur zu rechnen . Dabei hatte ich grosse Schwierigkeiten .
Ich versuch mal meinen Lösungsweg vorzustellen . Vielleicht kann mir jemand sagen was ich falsch mache .
Bei der vervollständigung der Schaltung habe ich einfach nur die linie( ohne etwas hinzufügen) durchgezogen . Mein Arbeitspunkt wird ja durch die beiden widerständen geregelt .
Der Eingang ist am Source und Ausgang am Drain , weil wir eine positive verstärkung haben und damit handelt es sich um eine gateschaltung .
Dimensionierung :
Der widerstand Rs ist wenn ich unseren Skript glauben darf der Widerstand einer Sromquelle und demnach muss es sehr hochohmig sein und hat so gut wie keinen Einfluss auf unsere Eingangswiderstand , weil es paralle zu unserem Transistor geschaltet wird. Deshalb ist Rin= 1/gm ( unter vernachlässigung des Substrateffektes und kanallängemodulation )
gm= 0,02
Und mit dem Formel gm*Rd =Au können wir Rd bestimmen Rd=500 ohm
Mit der Sättigungsbedingung Ug-Uth< Ua kriegen wir heraus , dass Ug maximal 0,25 sein darf. Also nehmen wir Ug= 0,2 V ( -0,25<Ua<0,25
Jetzt ist unsere Stom fast frei wählbar . muss aber natürlich mit unserem Aussteurbereich übereinstimmen . Daher wähle ich mein Ua willkürlich zu 0,2 Volt.
Jetzt muss über Drain natürlich ein Strom fliessen , dass mir auch diese Ausgangsspannung liefert . (Vdd-Uaus)/Rd = Id somit Id= 3,4mA
Bleibt nun Rs
mit dem Formel 2 *Id /(Ugs-Uth ) = gm mit UGS = UG - Us = UG - Rs * Is können wir Rs bestimmen und das ist in diesem Fall fast 200 ohm . Und das ist zu niederohmig . Was hab ich denn falsch gemacht ??????
